WEKO3
アイテム
ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上
https://wakayama-u.repo.nii.ac.jp/records/2006875
https://wakayama-u.repo.nii.ac.jp/records/2006875a7150a67-6a09-414a-bba6-ca5f11523196
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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1390001205444294656.pdf (4.7 MB)
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| Item type | 共通タイプ(1) | |||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-05-15 | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Improving the Carrier Mobility of Pentacene Thin Film Transistors by Surface Treatment of Polysilsesquioxane Gate Dielectric Layers | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ポリシルセスキオキサンゲート ゼツエンマク ノ ヒョウメン ショリ ニ ヨル ペンタセン ハクマク トランジスタ ノ キャリア イドウド コウジョウ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 作成者 |
道浦, 大祐
× 道浦, 大祐
× 中原, 佳夫
WEKO
136
× 宇野, 和行
WEKO
9
× 田中, 一郎
researchmap
readqdot-2021
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| アクセス権 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||||||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 権利情報 | © 2016 日本材料学会 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=Polysilsesquioxane | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Polysilsesquioxane | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=Gate%20dielectric%20material | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Gate dielectric material | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=Pentacene | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Pentacene | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=Thin%20film%20transistors | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Thin film transistors | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=Surface%20treatment | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | Surface treatment | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=UV/O%3Csub%3E3%3C/sub%3E | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | (UV)/O₃ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題URI | https://cir.nii.ac.jp/all?q=1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane | |||||||||||||||||||||||||||||
| 主題 | 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | We improved the carrier mobility of the pentacene thin film transistors (TFT), which were fabricated with polysilsesquioxane (PSQ) gate dielectric layers, from 0.082 to 0.31 cm2V-1s-1 by treating the PSQ surface with ultra-violet irradiation (UV)/O₃ and 1,1,1,3,3,3-hexamethyldisilazane (HMDS). It was found that the PSQ layers were flattened by the UV/O₃ treatment, and the PSQ surface became hydrophilic at the same time because the organic functional groups on the PSQ surface were changed to hydroxyl groups. The grains of the pentacene films deposited on the UV/O₃-treated PSQ surfaces were found to be as large as a few microns. However, the carrier mobility of the pentacene TFTs was not so much improved as expected from the largely grown pentacene grains probably because the hydroxyl groups scattered the charged carriers. In addition, the off-current of the pentacene TFTs increased by 4 orders of magnitude. It is thus considered that the hydroxyl groups also worked as hopping sites for the increased off-current which flew without the gate voltage. On the other hand, the carrier mobility of the pentacene TFTs fabricated with the PSQ dielectric layers of which surfaces were treated with UV/O₃ and HMDS became ~4 times larger than that without any surface treatment of the PSQ layers, and also the off-current decreased by 3 orders of magnitude because the hydroxyl groups were changed with silyl groups by the HMDS treatment. | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 日本材料学会 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | The Society of Materials Science, Japan | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_1725499675744 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | CRID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | 1390001205444294656 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.2472/jsms.65.652 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 05145163 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN00096175 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 材料 en : Journal of the Society of Materials Science, Japan 巻 65, 号 9, p. 652-655, ページ数 4, 発行日 2016-09-15 |
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